【聚焦“双一流”】我校“双一流”建设“电子材料与器件集成”学科领域再添新成果

发布时间:2020-08-11

基于环保的水溶液法制备了新型HfGdOxk栅介质薄膜构筑了低压驱动的In2O3/HfGdOx TFTs器件,表现出11.2 cm2 V-1 s-1的迁移率及4.1×106的开关比,并基于构建了可用于逻辑电路的低压操作的反相器,其表现出高增益及良好的全摆幅特性在此基础上,课题组利用Ca掺杂实现对沟道层氧化铟氧空位的有效调控,成功构筑InCaOx/HfGdOx 薄膜晶体管和高增益的反相器,足以驱动集成电路中的信号持续传播此项工作对低温构筑低能耗柔性场效应器件的发展具有重要的指导意义和科学价值。研究成果分别以Eco-Friendly Fully Water-Driven HfGdOx Gate Dielectrics and Its Application in Thin Film Transistors and Logic Circuits” 和Performance Modulation in All-Solution-Driven InGaOx/HfGdOx Thin film Transistors and Exploration in Low-Voltage-Operated Logic Circuits为题发表在微电子器件领域顶尖期刊IEEE Transactions on Electron Devices (DOI:; DOI:10.1109/TED.2020.3012592)

上述研究工作得到了国家自然科学基金及校内开放基金专项资金的经费支持,为环球注册登录“双一流”建设主学科方向“电子材料与器件集成”再添新成果。

  


返回原图
/